HJ-SD700射頻導納物位計廣泛適用各行業中液體、顆粒和塊狀物料倉料位的連續測量。適用于在高溫、高壓力、強腐蝕、強粘附、強沖擊、強磨損、粉塵大的環境下進行測量，有其它類型的物位計無法比擬的性價比。產品應用于工礦現場，適用于大多數應用場合，儀表由一個電路單元一套防爆外殼和桿式或纜式傳感元件組成，傳感器有多種型號可選，儀表可選整體或分體安裝。
    射頻導納物位計測量原理：
    射頻導納是一種從電容式發展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。所謂射頻導納，導納的含義為電學中阻抗的倒數，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，所以射頻導納可以理解為用高頻無線電波測量導納。儀表工作時，儀表的傳感器與灌壁及被測介質形成導納值，物位變化時，導納值相應變化，電路單元將測量導納值轉換成物位信號輸出，實現物位測量。
    對于連續測量，射頻導納技術與傳統電容技術的區別除了上述講過的以外，還增加了兩個很重要的電路，這是根據導電掛料實踐中的一個很重要的發現改進而成的。上述技術在這時同樣解決了連接電纜問題，也解決了垂直安裝的傳感器根部掛料問題。鎖增加的兩個電路是振蕩器緩沖器和交流變換斬波器驅動器。
    對一個強導電性被測介質的容器，由于被測介質是導電的，接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現為一個純電容。隨著容器排料，探桿上產生掛料，而掛料是具有阻抗的。這樣以前的純電容現在變成了由電容和電阻組成的復阻抗，從而引起兩個問題。
    ***個問題是液位本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量，（純電容不耗能）。但掛料對探頭等效電路中含有電阻，則掛料的阻抗會消耗能量，從而將振蕩器電壓拉下來，導致橋路輸出改變，產生測量誤差。我們在振蕩器與電橋之間增加了一個緩沖放大器，使消耗的能量得到補充，因而不會降低加在探頭的振蕩電壓。
    第二個問題是對于導電被測介質，探頭絕緣層表面的接地點覆蓋了整個被測介質及掛料區，使有效測量電容擴展到掛料的頂端。這樣便產生掛料誤差，且導電性越強誤差越大。但任何被測介質都不是完全導電的。從電學角度來看，掛料層相當于一個電阻，傳感元件被掛料覆蓋的部分相當于一條由無數個無窮小的電容和電阻元件組成的傳輸線。根據數學理論，如果掛料足夠長，則掛料的電容和電阻部分的阻抗相等。因此根據對掛料阻抗所產生的誤差研究，又增加一個交流驅動器電路。該電路與交流變換器或同步檢測器一起就可以分別測量電容和電阻。由于掛料的阻抗和容抗相等，則測得的總電容相當于C+C掛料，再減去與C 掛料相等的電阻R，就可以實際測量真實值，從而排除掛料的影響。
    即C測量=C+C掛料
    C=C測量—C掛料
    =C測量— R
    這些，多參量的測量，是必須得基礎，交流鑒相采樣器是實現的手段。由于使用了上述三項技術，使得射頻導納技術在現場應用中展現出非凡的生命力。
    射頻導納物位計產品特點：     標定簡單: 可利用任意二點倉高一次性自動完成標定。
    通用性強：可測量液位及料位，可滿足不同溫度、壓力、介質的測量要求，并可應用于腐蝕、沖擊等惡劣場合。
    防 掛 料：獨特的電路設計和傳感器結構，使其測量可以不受傳感器掛料影響，無需定期清潔，避免誤測量。
    免 維 護：測量過程無可動部件，不存在機械部件損壞問題，無須維護。
    抗 干 擾：接觸式測量，抗干擾能力強，可克服蒸汽、泡沫及攪拌對測量的影響。     應用廣泛: 液態、固態、界面混和物、物料均可使用。     無 漂 移: 不會因為介質的溫度或密度變化產生漂移。
    準確可靠：測量量多樣化，使測量更加準確，澤良不受環境變化影響，穩定性高，使用壽命長。     液晶顯示: 采用液晶顯示，顯示內容豐富、全面。     射頻導納物位計典型應用：
    導電、絕緣液體…………化工、油田、水及污水處理
    導電、絕緣漿體…………造紙、制藥、水及污水處理
    粉末：灰、粉……………電廠、冶金、水泥
    顆粒：煤、糧食…………電廠、冶金、糧食
    界面：不同兩種液體……油田、化工
    射頻導納物位計性能指標：
    供電：18V—30VDC
    火花防護（對傳感器）：內置火花防護電路
    輸    出：4—20MA 
    電氣接口：M20×1.5
    輸出方式：物位方式或距離方式
    電    纜：分體式電子單元與傳感器之間的專用連接電纜 標準5m，長50m
    精    度：±0.5%  ±0.2%                         
    環境溫度：-40℃～70℃
    過程連接：NPT螺紋安裝（標準）
    介質溫度：-100℃～260℃
    法蘭安裝：（可選）
    負    載：24VDC 350Ω
    外殼防護：IP66
    負載影響：0.2%     
    防爆：EXID Ⅱ CT4
    響應時間：0.5s（表尊） 0.5～30s（可調）
    量程：15000PF，距離100m（不同傳感器量程不同）